薄層電界効果トランジスター及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-304019
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072528
出願日： 2003年08月28日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

【解決手段】金属/絶縁体/半導体構造を有する薄層電界効果トランジスターにおいて、半導体層及び絶縁層を形成する物質が有機溶剤に溶解可能な重量平均分子量2,000を超え1,000,000以下の高分子化合物であることを特徴とする薄層電界効果トランジスター。【効果】本発明によれば、TFTの半導体層及び絶縁層材料の両者を高分子化合物とすることで、従来の金属系半導体及び絶縁体の使用における回路形成技術をフォトレジスト等によるパターン化及びエッチング等の処理をすることなく、TFT欠陥の確率を減少させて、製造コストの低減を図ることが可能となる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

金属/絶縁体/半導体構造を有する薄層電界効果トランジスターにおいて、半導体層及び絶縁層を形成する物質が有機溶剤に溶解可能な重量平均分子量2,000を超え1,000,000以下の高分子化合物であることを特徴とする薄層電界効果トランジスター。

IPC (2件)：

H01L29/786 , H01L51/00

FI (3件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 617T , H01L29/28

Fターム (27件)：

5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF05 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110HK33

引用特許：

出願人引用 (1件)

特表平5-508745号公報

審査官引用 (8件)

導電性有機化合物及び電子素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-317096 出願人：富士通株式会社
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-001237 出願人：松下電器産業株式会社
電界効果型トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-146004 出願人：株式会社日立製作所

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