特許
J-GLOBAL ID：200903002575273953
窒化ガリウム系化合物半導体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-176720
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026382
出願日： 1997年07月02日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 有機金属気相成長法による窒化ガリウム系化合物半導体薄膜の製造において、薄膜成長面を下向きに保持した基板上に良好な表面平坦性と優れた結晶性とを有する窒化ガリウム系化合物半導体薄膜を成長させることを目的とする。【解決手段】 水素が2%以上且つ50%未満の濃度で混合された窒素をベースとする混合ガスをキャリアガスに用いて原料ガスを反応管内へ輸送するようにする。
請求項（抜粋）：
有機金属気相成長法により、反応管内において薄膜成長面を下向きにして保持された基板上に、一般式がAlxGa1-xN(0≦x≦1)で表される窒化ガリウム系化合物半導体薄膜を成長させる窒化ガリウム系化合物半導体薄膜の製造方法であって、水素が2%以上且つ50%未満の濃度で混合された窒素をベースとする混合ガスをキャリアガスに用いて原料ガスを前記反応管内へ輸送することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
