特許
J-GLOBAL ID：200903033619390009
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-061015
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264455
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 導電性及び劈開性を有するSiC基板上にGaN系の化合物半導体層を形成する技術を提供する。【構成】 上面を有するSiC基板を準備する工程と、前記SiC基板の温度を第1の温度から、該第1の温度よりも300°C以上高い第2の温度まで徐々に上昇させながら、前記SiC基板の上面にGa1-x-y Alx Iny N層(0≦x≦0.2、0≦y≦0.3)を堆積する工程と、前記SiC基板の温度を前記第2の温度に維持したまま、前記Ga1-x-y Alx Iny N層の上に他のGa1-i-jAli Inj N層(0≦i≦0.2、0≦j≦0.3)を堆積する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
上面を有するSiC基板を準備する工程と、前記SiC基板の温度を第1の温度から、該第1の温度よりも300°C以上高い第2の温度まで徐々に上昇させながら、前記SiC基板の上面にGa1-x-y Alx Iny N層(0≦x≦0.2、0≦y≦0.3)を堆積する工程と、前記SiC基板の温度を前記第2の温度に維持したまま、前記Ga1-x-y Alx Iny N層の上に他のGa1-i-j Ali Inj N層(0≦i≦0.2、0≦j≦0.3)を堆積する工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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