特許
J-GLOBAL ID:200903002601413610
ウェハーめっき方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人 田中・岡崎アンドアソシエイツ
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-339379
公開番号(公開出願番号):特開2008-019501
出願日: 2006年12月18日
公開日(公表日): 2008年01月31日
要約:
【課題】 ウェハーの被めっき面全面でのめっき膜厚が均一となるウェハーめっき処理技術を提供する。【解決手段】めっき槽の開口部にウェハーを配置し、ウェハー外周側とカソード電極とを接触させ、めっき液を供給し、ウェハーに到達しためっき液がウェハーの被めっき表面の外周方向に流動させるようにして、めっき槽内にウェハーと対向させて配置したアノード電極と前記カソード電極とによってめっき電流を供給して、ウェハーにめっき処理を行うウェハーめっき方法において、前記アノード電極は、ウェハーの被めっき面と略同一形状とし、アノード電極の周縁へ複数の周縁電流供給部を設けるとともに、アノード電極の中央へ中央電流供給部を設け、前記周縁電流供給部から供給する周縁めっき電流と、中央電流供給部から供給する中央めっき電流とを調整するものとした。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
めっき槽の開口部にウェハーを配置し、ウェハー外周側とカソード電極とを接触させ、めっき液を供給し、ウェハーに到達しためっき液がウェハーの被めっき表面の外周方向に流動させるようにして、めっき槽内にウェハーと対向させて配置したアノード電極と前記カソード電極とによってめっき電流を供給して、ウェハーにめっき処理を行うウェハーめっき方法において、
前記アノード電極は、ウェハーの被めっき面と略同一形状とし、アノード電極の周縁へ複数の周縁電流供給部を設けるとともに、アノード電極の中央へ中央電流供給部を設け、
前記周縁電流供給部から供給する周縁めっき電流と、中央電流供給部から供給する中央めっき電流とを調整することを特徴とするウェハーめっき方法。
IPC (3件):
C25D 7/12
, C25D 21/12
, H01L 21/288
FI (3件):
C25D7/12
, C25D21/12 A
, H01L21/288 E
Fターム (14件):
4K024BB12
, 4K024CB01
, 4K024CB04
, 4K024CB06
, 4K024CB07
, 4K024CB08
, 4K024CB13
, 4K024CB21
, 4K024GA16
, 4M104BB09
, 4M104BB14
, 4M104DD52
, 4M104FF13
, 4M104HH20
引用特許:
出願人引用 (3件)
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カップ式めっき装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-215027
出願人:日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社
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カップ式めっき装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-294461
出願人:日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社
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メッキ方法及びメッキ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-353891
出願人:カシオ計算機株式会社
審査官引用 (6件)
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特開平4-143299
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特開平2-200800
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電解めっき装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-095557
出願人:ソニー株式会社
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メッキ方法及びメッキ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-353891
出願人:カシオ計算機株式会社
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-295069
出願人:菅沼慎二郎
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めっき装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-367707
出願人:富士通株式会社
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