特許
J-GLOBAL ID：200903002744108061
窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-108737
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305356
出願日： 2001年04月06日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：
【要約】【課題】短時間で、かつ、薄い厚みで形成することが可能な窒化物系半導体層を含む窒化物系半導体素子を提供する。【解決手段】サファイア基板1の上面上に形成されたバッファ層2と、バッファ層2の上面の一部が露出するように、バッファ層2の上面上に接触するように形成され、所定のマスク幅b1と所定のマスク開口幅w1とを有するマスク層3と、露出されたバッファ層2の上面上およびマスク層3の上面上に形成されたアンドープGaN層4と、アンドープGaN層4上に形成され、素子領域を有する窒化物系半導体素子層を構成する各層5〜13とを備える。
請求項（抜粋）：
基板の上面上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上面の一部が露出するように、前記バッファ層の上面上に接触するように形成されたマスク層と、前記露出されたバッファ層の上面上および前記マスク層の上面上に形成された窒化物系半導体層と、前記窒化物系半導体層上に形成され、素子領域を有する窒化物系半導体素子層とを備えた、窒化物系半導体素子。
IPC (2件)：
H01S 5/323 610
, H01L 21/205
H01S 5/323 610
, H01L 21/205
5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AC01
, 5F045AC07
, 5F045AC12
, 5F045BB12
, 5F045CA09
, 5F045CA12
, 5F045DA53
, 5F045DB02
, 5F045DB06
, 5F073CA02
, 5F073CB02
, 5F073CB04
, 5F073CB05
, 5F073CB06
, 5F073DA05
, 5F073DA07
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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