半導体装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-363682
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185691
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の不良パターンのアドレスの特定を容易にする。【解決手段】半導体基板1に繰り返し配置された活性領域Lのパターンの最外周に、ダミーの活性領域Ldのパターンを配置し、このダミーの活性領域Ldの中に周期的に所定のダミーの活性領域Ldaを配置し、この所定のダミーの活性領域Ldaのパターン寸法を、他のダミーの活性領域Ldのパターン寸法よりも長くして、他のダミーの活性領域Ldのパターンとは識別可能なようにした。

請求項（抜粋）：

半導体基板に繰り返し配置された複数の第1パターンと、前記複数の第1パターンを取り囲むように配置された複数の第2パターンとを有し、前記複数の第2パターン内に、他の第2パターンとは異なる所定の第2パターンを規則的に配置したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/10 681 E , H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 681 B

Fターム (13件)：

5F083AD24 , 5F083GA28 , 5F083JA06 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083LA02 , 5F083LA11 , 5F083LA21 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083ZA20 , 5F083ZA28

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法と露光用マスク
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-221229 出願人：株式会社東芝
半導体集積回路の配線構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-235228 出願人：三菱電機株式会社
半導体集積回路装置およびその製造方法ならびに設計方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-033388 出願人：株式会社日立製作所

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