特許
J-GLOBAL ID：200903002799791607

フォトレジストパターンの形成方法

発明者：
井谷 俊郎

井谷 俊郎 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-043923
公開番号（公開出願番号）：特開2000-241990
出願日： 1999年02月22日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 化学増幅系ポジ型フォトレジストを用いたフォトレジストパターンの形成方法において、保護基の脱保護反応を速やかに進行させて良好なレジストパターンを得る。【解決手段】 開示されているフォトレジストパターンの形成方法は、露光後の化学増幅系ポジ型フォトレジストからなるフォトレジスト膜を、常温の純水で、1〜30秒間、リンスしてからPEB処理を施す。
請求項（抜粋）：
基板上に化学増幅系ポジ型フォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成した後、該フォトレジスト膜をフォトリソグラフィ技術を用いて所望の形状にパターニングするフォトレジストパターンの形成方法であって、前記フォトレジスト膜を露光した後、該フォトレジスト膜を純水でリンスしてからPEB処理を施すことを特徴とするフォトレジストパターンの形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/38 511 ,  G03F 7/32 501 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F 7/38 511 ,  G03F 7/32 501 ,  H01L 21/30 569 F
Fターム (14件)：
2H096AA25 ,  2H096BA09 ,  2H096CA12 ,  2H096DA01 ,  2H096EA05 ,  2H096EA12 ,  2H096FA01 ,  2H096GA00 ,  2H096GA31 ,  2H096HA01 ,  5F046AA02 ,  5F046BA07 ,  5F046CA04 ,  5F046LA01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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