特許
J-GLOBAL ID：200903002803708841
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-002334
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196390
出願日： 2000年01月11日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】支持基板を薄型化し、微細半導体チップの実装に適した小型で薄型のパッケージを実現できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】2枚の導電箔52、53とその間に配置された熱可塑性樹脂フィルム51を熱圧着で一体化して支持基板50を形成し、この熱圧着の時に導電材57も熱可塑性樹脂フィルム51を貫通させてビアホールなしで両導電箔52、53を電気的に接続する導電材57を形成する。またボンディングワイヤ61もウエッジボンデイングにより加熱工程を省き且つそのループの高さを大幅に低くできる。これにより極めて薄型の実装構造を簡単な構造で実現でき、微小半導体チップの実装に最適の半導体装置の製造方法が実現される。
請求項（抜粋）：
第1の導電箔と、熱可塑性樹脂フィルムと、導電材を所望の位置に付着した第2の導電箔とを熱圧着して前記導電材を前記熱可塑性樹脂フィルムを貫通させて前記第1および第2の導電箔を電気的に接続する支持基板を形成する工程と、前記第1の導電箔で固着電極および取り出し電極を形成し、前記第2の導電箔で前記固着電極および取り出し電極に対応し前記導電材で電気的に接続された接続電極を形成する工程と、前記固着電極に導電ペーストを用いて半導体素子を固着する工程と、前記半導体素子の電極と前記取り出し電極をウエッジボンドによりボンディング接続する工程と、前記接続電極を露出して全体を絶縁樹脂で被覆する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/50
, H01L 21/52
, H01L 21/56
, H01L 21/60 301
, H01L 23/12
, H01L 23/14
, H01L 23/48
H01L 21/50 B
, H01L 21/50 G
, H01L 21/52 A
, H01L 21/56 T
, H01L 21/60 301 A
, H01L 23/48 R
, H01L 23/48 S
, H01L 23/12 L
, H01L 23/14 R
5F044AA02
, 5F044AA05
, 5F044JJ03
, 5F047AA17
, 5F047BA21
, 5F047BA52
, 5F061AA01
, 5F061BA03
, 5F061CA21
, 5F061DB01
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (13件)
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