特許
J-GLOBAL ID：200903002831217551

不揮発性半導体記憶装置及びデータ判定方法

発明者：
飯島 光輝

飯島 光輝 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-136269
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047050
出願日： 2003年05月14日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】本発明は、仮想接地メモリアレイにおいてリーク電流の存在に関わらず正確にデータ検出が可能な不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、複数のワード線及び複数のビット線を含む仮想接地メモリアレイと、複数のワード線の一本のワード線を選択活性化するローデコーダと、複数のビット線のうち一本のビット線にセンス電圧を印加すると共に他の全てのビット線をグラウンド電位に設定するコラムデコーダと、1本のビット線に流れる電流を第1基準電流及び第2基準電流と比較することにより、1本のワード線に接続され且つ1本のビット線を共有する2つのメモリセルのデータ状態を、両方が0である第1の状態、両方が1である第2の状態、何れか一方が1で他方が0である第3の状態の何れかとして判定するセンスアンプを含む。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
複数のワード線及び複数のビット線を含む仮想接地メモリアレイと、 該複数のワード線の一本のワード線を選択活性化するローデコーダと、 該複数のビット線のうち一本のビット線にセンス電圧を印加すると共に他の全てのビット線をグラウンド電位に設定するコラムデコーダと、 該1本のビット線に流れる電流を第1基準電流及び第2基準電流と比較することにより、該1本のワード線に接続され且つ該1本のビット線を共有する2つのメモリセルのデータ状態を、両方が0である第1の状態、両方が1である第2の状態、何れか一方が1で他方が0である第3の状態の何れかとして判定するセンスアンプ を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C16/04 ,  G11C16/02 ,  G11C16/06
FI (5件)：
G11C17/00 622C ,  G11C17/00 634A ,  G11C17/00 611A ,  G11C17/00 612B ,  G11C17/00 634E
Fターム (2件)：
5B025AD06 ,  5B025AE08
引用特許：
審査官引用 (4件)
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