特許
J-GLOBAL ID：200903002850517078
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-399294
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203857
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：
【要約】【課題】 配線周囲の絶縁膜が剥がれる現象が生じることのないCu系配線を備える半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板(1)上に形成された絶縁層(2)と、この絶縁層(2)に形成された配線パターン溝(3)と、この配線パターン溝(3)の内面に形成された導電性拡散防止層(4)と、内面に導電性拡散防止層(4)が形成された配線パターン溝内に形成されたCu系配線(6)とを具備し、前記Cu系配線(6)の硫黄の含有量は、100原子ppm以上、1原子%以下、であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたCu系金属を主体とするCu系配線層と、このCu系配線層の周囲に形成された絶縁層とを具備し、前記Cu系金属中の硫黄の含有量は、100原子ppm以上、1原子%以下であることを特徴とする半導体装置。
Fターム (23件)：
5F033HH11
, 5F033JJ01
, 5F033JJ11
, 5F033KK11
, 5F033LL01
, 5F033MM01
, 5F033MM02
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP06
, 5F033PP15
, 5F033PP26
, 5F033QQ09
, 5F033QQ48
, 5F033QQ73
, 5F033QQ85
, 5F033RR01
, 5F033RR06
, 5F033WW04
, 5F033WW09
, 5F033XX14
