成膜装置及び成膜方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-359634
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123532
出願日： 2003年10月20日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

【課題】基板の表面にシリコンゲルマニウム膜を成膜する際に、その膜厚や膜中のゲルマニウム濃度について高い面間均一性が得られる成膜装置および成膜方法を提供すること。【解決手段】縦型処理装置の処理容器内に互いに高さの異なる3本のインジェクタ51〜53を設けてモノシランガスとモノゲルマンガスとを予め混合して各インジェクタ51〜53から処理容器2内に供給する。また3本のインジェクタを用いる代わりにその長さ方向にガス供給孔が穿設された分散型インジェクタを処理容器内に設ける。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

多数枚の基板を反応管の長さ方向に並列に保持具に保持させて反応管内に搬入し、加熱手段により反応管内を加熱してシラン系のガスとモノゲルマンガスとを反応させ基板上にシリコンゲルマニウム膜を成膜する装置において、各先端部が基板の配列方向に沿って間隔をおいて位置し、シラン系のガスとモノゲルマンガスとの混合ガスを処理領域に供給するための複数本のインジェクタを備えたことを特徴とする成膜装置。

IPC (3件)：

H01L21/205 , C23C16/42 , H01L21/285

FI (3件)：

H01L21/205 , C23C16/42 , H01L21/285 C

Fターム (28件)：

4K030AA05 , 4K030AA06 , 4K030AA07 , 4K030AA08 , 4K030AA20 , 4K030BA09 , 4K030BA48 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA06 , 4K030FA10 , 4K030KA04 , 4M104BB01 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104DD55 , 4M104HH20 , 5F045AA03 , 5F045AB01 , 5F045AC01 , 5F045BB03 , 5F045CB10 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EF02 , 5F045EF08

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の製造方法および基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-268265 出願人：株式会社日立国際電気

審査官引用 (6件)

特開平2-119126
縦型半導体製造装置と半導体デバイス製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-003499 出願人：株式会社日立国際電気
半導体素子製造装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-018462 出願人：サムスンエレクトロニクスカンパニーリミテッド

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