縦型半導体製造装置と半導体デバイス製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：和泉良彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-003499
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203872
出願日： 2002年01月10日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】【課題】超高真空とはしないで、0.1Pa以上の圧力でもエピタキシャル膜の成長を可能とし、反応室の上側から下側の方向に原料ガスを導入して、高清浄な反応雰囲気を実現し、下流で原料ガスが不足して膜厚が薄くなったり、また成膜速度を遅くしたり、ガス継ぎ足しノズルを用いなくても膜厚の均一性が確保できる縦型半導体装置と半導体デバイス製造方法を提供する。【解決手段】メカニカルブースターポンプ12とドライポンプ13を使用し、原料ガスを反応室1の上部から導入し反応室1の下部から排気14することにより、ウエハ4反応雰囲気を高清浄に保持し、中真空領域であっても、良質のSi、SiGeまたはSiGeCのエピタキシャル成長膜が得られる縦型減圧CVD装置とする。また、成膜前に基板を水素アニール処理して汚染物質および酸化膜を除去し高品質のエピタキシャル成長膜を有する半導体デバイスの製造方法とする。

請求項（抜粋）：

内部に複数枚の被処理基板を所定の間隔で積層保持される反応室と、上記積層保持される被処理基板の処理領域よりも上側から、次の?@ないし?Eのうちから選択される少なくともいずれかを反応ガスとして供給するか、?@SiH4ガス、?ASi2H6ガス、?BSiH4ガスとGeH4ガス、?CSi2H6ガスとGeH4ガス、?DSiH4ガスとGeH4ガスとCH3SiH3ガス、?ESi2H6ガスとGeH4ガスとCH3SiH3ガス、もしくはこれら?@ないし?Eのガスにキャリアガスとして水素を添加したガスのうちから選択される少なくともいずれかを反応ガスとして供給するガス供給部と、上記積層保持される被処理基板の処理領域よりも下側から反応ガスを排気するガス排気管とを有し、上記ガス排気管にはメカニカルブースタポンプとドライポンプが接続され、上記反応室内を上記ガス供給部から反応ガスを供給しつつ上記メカニカルブースタポンプと上記ドライポンプで減圧排気しSiエピタキシャル成長膜、またはSiGeエピタキシャル成長膜またはSiGeCエピタキシャル成長膜のいずれかの膜形成を行うことを特徴とする縦型半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 21/331 , H01L 29/737

FI (2件)：

H01L 21/205 , H01L 29/72 H

Fターム (28件)：

5F003BB04 , 5F003BF06 , 5F003BG06 , 5F003BM01 , 5F003BP31 , 5F045AA04 , 5F045AA06 , 5F045AB01 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AE13 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045BB02 , 5F045BB03 , 5F045BB04 , 5F045BB07 , 5F045BB08 , 5F045DP19 , 5F045EE01 , 5F045EG03

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-099019
ガス処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-124236 出願人：サンケン電気株式会社
気相成長方法および気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-356517 出願人：ソニー株式会社, 日本真空技術株式会社

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