特許
J-GLOBAL ID：200903002932247141

半導体装置およびその製造方法

発明者：
川野 連也

川野 連也 について

, 
副島 康志

副島 康志 について

, 
栗田 洋一郎

栗田 洋一郎 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-215409
公開番号（公開出願番号）：特開2007-035825
出願日： 2005年07月26日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
【課題】 従来の半導体装置の製造方法では、製造コストが増大したり、配線層の平坦性が損なわれたりすることがある。【解決手段】 本発明の一実施形態に係る製造方法は、支持基板70上にシードメタル層20aを形成する工程と、シードメタル層20a上に配線18を含む配線層10を形成する工程と、配線層10を形成した後に支持基板70を除去する工程と、支持基板を除去した後にシードメタル層20aをパターニングして配線20とする工程と、を含んでいる。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
支持基板上にシードメタル層を形成する工程と、 前記シードメタル層上に、第1の配線を含む配線層を形成する工程と、 前記配線層を形成する工程よりも後に、前記支持基板を除去する工程と、 前記支持基板を除去する工程よりも後に、前記シードメタル層をパターニングして第2の配線とする工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 23/12
FI (3件)：
H01L23/12 501T ,  H01L23/12 501B ,  H01L23/12 N
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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