特許
J-GLOBAL ID：200903002951033225

磁気メモリ装置及びその製造方法

発明者：
元吉 真

元吉 真 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-416601
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175375
出願日： 2003年12月15日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】 MRAMのメモリセルサイズが縮小された磁気メモリ装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 下層配線31をワード線12よりも下層に形成してこれに接続する接続孔42にプラグ34(又は40)を設け、このプラグを介して読み出し用配線22と下層配線31とを接続する、若しくは接続孔42内に局所配線22Aを設けて読み出し用配線22と下層配線31とを接続することにより、接続孔42をワード線12に近づけて形成できるため、ビット線11に沿った方向のセルサイズを縮小できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
磁化方向が固定された磁化固定層と、トンネルバリア層と、磁化方向の変化が可能な磁性層とが積層されてなるトンネル磁気抵抗効果素子によってメモリ素子が構成され、このメモリ素子の一方の面側に絶縁層を介して設けられた第1の導電層と、その他方の面側に設けられた第2の導電層とに流す電流によって前記メモリ素子に情報を書き込み、前記絶縁層に設けられた接続孔に被着された前記メモリ素子の読み出し用配線を通して前記書き込み情報を読み出すように構成された磁気メモリ装置において、 前記読み出し用配線が、前記第1の導電層と同層の導電層を介さないで、前記第1の導電層よりも下部に存在する下部配線に対し接続されていることを特徴とする、磁気メモリ装置。
IPC (2件)：
H01L27/105 ,  H01L43/08
FI (2件)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z
Fターム (16件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083JA02 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083PR03 ,  5F083PR22 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第5940319号公報(第5頁第5欄45行目〜56行目、及びFig10)
審査官引用 (4件)
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