半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-318975
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145134
出願日： 1997年11月05日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】平坦性の改善と層間容量の低減とにより、信頼性並びにデバイス特性が向上された保護絶縁膜を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、MOS素子を含む半導体基板11、前記半導体基板の上に形成された複数の配線領域L1,L2および該配線領域のうちの最上層に位置する配線領域の上に形成された保護絶縁膜PLを含む。前記保護絶縁膜PLは、第1のシリコン酸化膜80、第1のシリコン酸化膜の上に形成され、シリコン化合物と過酸化水素との重縮合反応によって形成された第2のシリコン酸化膜82、および最上層を構成するシリコン窒化膜86、を含む。

請求項（抜粋）：

素子を含む半導体基板、前記半導体基板の上に形成された複数の配線領域および該配線領域のうちの最上層に位置する配線領域の上に形成された保護絶縁膜を含み、前記保護絶縁膜は、第1のシリコン酸化膜、前記第1のシリコン酸化膜の上に形成され、シリコン化合物と過酸化水素との重縮合反応によって形成された第2のシリコン酸化膜、および最上層を構成するシリコン窒化膜、を含む半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/318 , H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/318 M , H01L 21/316 M , H01L 21/90 K

引用特許：

出願人引用 (7件)

半導体ウエハーを処理する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平6-503075 出願人：ドブソン,クリストファー,デビッド
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-026922 出願人：株式会社東芝
特開平3-209823

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