特許

J-GLOBAL ID：200903003075701181

半導体装置の作製方法

発明者： 浅見 勇臣 ,  一條 充弘 ,  鳥海 聡志 ,  大槻 高志 ,  山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-125785
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050634
出願日： 2001年04月24日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】TFTを構成する各被膜界面の汚染不純物による汚染が、TFTの信頼性を下げる大きな要因となっている。【解決手段】洗浄室と成膜室をつなげることにより、洗浄工程と成膜工程の間を大気に曝すことなく成膜を行うことができ、TFTを構成する各被膜界面を清浄に保つことが可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体膜を形成する第1の工程と、前記半導体膜表面の汚染不純物を除去する第2の工程と、前記第2の工程の後に、前記半導体膜に接してゲート絶縁膜を形成する第3の工程とを有する半導体装置の作製方法であって、前記第2の工程と第3の工程とは大気雰囲気に曝されることなく連続的に処理することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (7件)：

H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/322 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/786

FI (7件)：

G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/318 C ,  H01L 21/322 X ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 627 B ,  H01L 29/78 617 V

Fターム (113件)：

2H092JA25 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB56 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092KA19 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA18 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA11 ,  2H092NA21 ,  2H092NA24 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BC06 ,  5F048BG07 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052CA02 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052JA01 ,  5F058BA05 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BF07 ,  5F058BF12 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02 ,  5F110AA14 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB10 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110NN13 ,  5F110NN14 ,  5F110NN22 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-182070   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-135029   出願人：株式会社東芝
• 特開昭62-049627
  
• 超音波式浮揚搬送機構を備えたクラスターツール型枚葉処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-210175   出願人：株式会社カイジョー
• ウエハの洗浄方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-221319   出願人：ソニー株式会社
• アクティブマトリクス基板およびその製造方法、並びに液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-332778   出願人：セイコーエプソン株式会社