特許
J-GLOBAL ID：200903023041501508

アクティブマトリクス基板およびその製造方法、並びに液晶表示装置

発明者：
阿部 裕幸

阿部 裕幸 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-332778
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168215
出願日： 1997年12月03日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：
【要約】【課題】 TFTと保持容量の形成領域に SiO2キャップ層を設けることによって、各領域毎に最適な条件でエネルギー光を照射し、移動度が高いTFTと耐電圧の高い保持容量を形成することのできるアクティブマトリクス基板、それを用いた液晶表示装置、およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 アクティブマトリクス基板の各画素領域5においてTFT10の形成領域TAと保持容量50の形成領域CAの一方、または両方に膜厚の異なった SiO2キャップ層45を設けて各領域に到達するレーザー光の強度を制御することよって、各領域毎に最適なエネルギー強度でレーザー光を照射できるようにしてあるので、TFT10を形成するためのシリコン膜30については結晶性を最大限にまで高める。これに対して、保持容量50の第1電極層51を形成するためのシリコン膜30についてはそれより弱いレーザー光を照射し、シリコン膜30結晶性をやや抑え気味にして表面が粗れるのを防止する。
請求項（抜粋）：
複数の走査線と、前記複数の走査線に交差する複数のデータ線と、前記複数の走査線とデータ線に接続される複数の薄膜トランジスタと、保持容量とを有するアクティブマトリクス基板において、前記複数の薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域と、前記保持容量の第1電極とは同一層の半導体層で形成されてなり、前記薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域上にはシリコン酸化膜からなる第1キャップ層が配置されてなることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500
FI (5件)：
H01L 29/78 616 L ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 Z ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
審査官引用 (4件)
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