特許
J-GLOBAL ID：200903003092777825
圧電体素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-079124
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126930
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】【課題】圧電特性及び耐圧特性が向上された圧電体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 下電極3が形成された基板1上に、PZT膜4を形成するための第1のゾルを塗布する工程を少なくとも1回行った後、前記第1のゾルより鉛の含有量が多い第2のゾルを塗布し、その後、所定温度で熱処理を行う工程を、少なくとも1回行うことにより、膜厚方向に対する鉛の存在量の差が少ない圧電体膜を備えた圧電体素子を得る。また、前記第2のゾルは、一般式AxByO3で表現されるペロブスカイト型結晶構造を有する圧電体膜を形成可能な組成を備え、前記第1のゾルのAサイトを構成する物質の含有量は、第2のゾルのAサイトを構成する物質の含有量より多くなるように調製することができる。
請求項（抜粋）：
圧電体膜と、該圧電体膜を挟んで配置される上電極と下電極と、を備えた圧電体素子であって、前記圧電体膜は、該圧電体膜を形成するための第1のゾルを少なくとも1回塗布してなる膜上に、前記第1のゾルより鉛の含有量が多い第2のゾルを塗布してなる膜を形成し、前記両膜に所定温度で熱処理を施してなる膜を備えた圧電体素子。
IPC (5件)：
H01L 41/24
, C30B 29/32
, G01L 1/16
, H01L 41/09
, H01L 41/187
H01L 41/22 A
, C30B 29/32 A
, G01L 1/16
, H01L 41/08 C
, H01L 41/18 101 D
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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