特許
J-GLOBAL ID：200903003099055302
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-152126
公開番号（公開出願番号）：特開2008-306004
出願日： 2007年06月07日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：
【課題】微細化に伴うフォーミング電圧の変動を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】下部電極17及び上部電極19の間に抵抗変化膜18が位置している。抵抗変化膜18の材料はNi酸化物である。また、抵抗変化膜18は、Ni酸化物のアモルファス領域18a及びNi酸化物の微結晶18bから構成されている。即ち、抵抗変化膜18は異なる2相(アモルファス相及び結晶相)から構成されている。このように構成された抵抗変化メモリでは、抵抗変化膜18中にアモルファス領域18aと微結晶18bとの界面が存在する。従って、比較的大きな電圧が印加されると、この界面の一部に擬似絶縁破壊が生じ、ここにフィラメントが生成される。即ち、フォーミングが行われる。そして、アモルファス領域18aと微結晶18bとの界面の特徴には、あまりばらつきが生じないため、フォーミング電圧のばらつきも小さなものとなる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
第1及び第2の電極と、
金属酸化物を含有し、その抵抗が前記第1及び第2の電極の間に印加された電圧に伴って変化する抵抗変化部と、
を有し、
前記抵抗変化部中に、組成又は相の少なくとも一方が互いに異なる第1の領域と第2の領域とが混在していることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/105
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 448
, H01L45/00 A
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA40
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083KA11
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083LA20
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083PR22
, 5F083PR33
