特許
J-GLOBAL ID：200903003134040445

半導体装置の製造方法

発明者：
鎌苅 守

鎌苅 守 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-138665
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332424
出願日： 2002年05月14日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 トレンチ素子分離法によるトレンチ素子分離膜に不測のオーバーエッチングが生じた場合においても、リーク電流の増加による特性劣化を確実に防止できるセルフアラインコンタクトを実現することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1にトレンチ2を形成し、該トレンチ内にトレンチ素子分離膜を埋め込むことによりトレンチ素子分離領域を形成し、該トレンチ素子分離領域を含む半導体基板上に層間絶縁膜を形成した後、少なくとも一部が前記トレンチ素子分離領域に跨り、該トレンチ素子分離領域内の半導体基板を露出する貫通孔12を前記層間絶縁膜に形成した際に、前記露出した半導体基板表面に、窒素ガスのプラズマ分解により、シリコン窒化膜10を形成する半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
半導体基板にトレンチを形成し、該トレンチ内にトレンチ素子分離膜を埋め込むことによりトレンチ素子分離領域を形成し、該トレンチ素子分離領域を含む半導体基板上に層間絶縁膜を形成した後、少なくとも一部が前記トレンチ素子分離領域に跨り、該トレンチ素子分離領域内の半導体基板を露出する貫通孔を前記層間絶縁膜に形成した際に、前記露出した半導体基板表面に、窒素ガスのプラズマ分解により、シリコン窒化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/76 ,  H01L 29/78
FI (6件)：
H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 C ,  H01L 21/76 L ,  H01L 29/78 301 R ,  H01L 29/78 301 Y ,  H01L 29/78 301 P
Fターム (158件)：
4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA06 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB25 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD22 ,  4M104DD28 ,  4M104DD34 ,  4M104DD35 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD75 ,  4M104DD84 ,  4M104DD91 ,  4M104DD94 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032AA49 ,  5F032AA54 ,  5F032CA17 ,  5F032DA03 ,  5F032DA04 ,  5F032DA07 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA28 ,  5F032DA33 ,  5F032DA80 ,  5F033GG00 ,  5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033HH04 ,  5F033HH09 ,  5F033HH27 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ16 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK01 ,  5F033KK27 ,  5F033MM05 ,  5F033MM07 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN13 ,  5F033NN30 ,  5F033PP06 ,  5F033PP09 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR09 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033SS25 ,  5F033SS27 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033XX01 ,  5F033XX15 ,  5F033XX31 ,  5F140AA14 ,  5F140BA01 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ16 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BJ28 ,  5F140BK13 ,  5F140BK24 ,  5F140BK27 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CB10 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC12 ,  5F140CE07 ,  5F140CF04
引用特許：
審査官引用 (6件)
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