特許
J-GLOBAL ID：200903003135733215
電界効果型半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-040389
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246599
出願日： 2001年02月16日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 基板の小型化、回路の簡素化と電力損の低減を図る安価で高信頼性の電界効果型半導体装置(IGBT)及びその製造方法を得る。【解決手段】 ゲート・エミッタ間を流れる充放電電流を制限するゲート抵抗回路5を介して外部から入力されるゲート電圧によりスイッチング動作を行う電界効果型半導体装置において、ゲート電極パッド2aと該ゲート電極パッドから絶縁されたゲート電極2bとからなる絶縁ゲート電極部を備えると共に、ゲート抵抗回路5を、絶縁ゲート電極部と一体に形成されるように、ゲート電極パッド2aとゲート電極2bの間に挿入し、又、ゲート抵抗回路5が、第1のゲート抵抗6と、第1のゲート抵抗6に並列に接続された第2のゲート抵抗8及び第1のダイオード7の第1の直列回路とを備え、更に、第1のダイオード7のアノードをゲート電極に接続している。
請求項（抜粋）：
ゲート・エミッタ間を流れる充放電電流を制限するゲート抵抗回路を介して外部から入力されるゲート電圧によりスイッチング動作を行う電界効果型半導体装置において、ゲート電極パッドと該ゲート電極パッドから絶縁されたゲート電極とからなる絶縁ゲート電極部を備えると共に、ゲート抵抗回路を、絶縁ゲート電極部と一体に形成されるように、ゲート電極パッドとゲート電極の間に挿入し、又、ゲート抵抗回路が、第1のゲート抵抗と、第1のゲート抵抗に並列に接続された第2のゲート抵抗及び第1のダイオードの第1の直列回路とを備え、更に、第1のダイオードのアノードをゲート電極に接続した電界効果型半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78 657
, H01L 29/78
, H01L 29/78 655
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 29/78 657 C
, H01L 29/78 657 G
, H01L 29/78 655 F
, H01L 27/04 H
5F038AR09
, 5F038AV04
, 5F038AV20
, 5F038BH02
, 5F038BH05
, 5F038BH13
, 5F038CA02
, 5F038EZ20
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)
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