特許

J-GLOBAL ID：200903003181868656

結晶性制御酸化マグネシウム単結晶及びその製造方法並びにその単結晶を用いた基板

発明者： 東塚 淳生 ,  川口 祥史 ,  國重 正明
出願人/特許権者： タテホ化学工業株式会社
代理人 (3件)： 津国 肇 ,  篠田 文雄 ,  束田 幸四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-380169
公開番号（公開出願番号）：特開2006-182620
出願日： 2004年12月28日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：

【課題】特にアーク電融法を使用して製造されたMgO単結晶の基板上に形成された超伝導体薄膜の超伝導特性を向上させることが可能な結晶性制御MgO単結晶の製造方法及びその基板を提供する。【解決手段】亜粒界を有し、且つ、同一亜粒界における逆格子マップ測定による回折線位置の変動幅が、Δω座標の変動幅として、1×10-3〜2×10-2degree、且つ、2θ座標の変動幅として4×10-4〜5×10-3degreeであることを特徴とする結晶性制御酸化マグネシウム単結晶を製造した後、2613K以上の温度まで昇温加熱した後、直ちに、もしくは、その温度で所定時間保持した後、50〜300K/hrの冷却速度で2473Kまで冷却する工程を含み、更に昇温と冷却に要した時間を含め、2613K以上の温度範囲に保持する合計時間を10800秒以下とする熱処理を行うことを特徴とする結晶性制御酸化マグネシウム単結晶の製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

亜粒界を有し、かつ、同一亜粒界における逆格子マップ測定による回折線座標位置の変動幅が、Δω座標の変動幅として、1×10-3〜2×10-2degree、且つ、2θ座標の変動幅として、4×10-4〜5×10-3degreeであることを特徴とする、結晶性制御酸化マグネシウム単結晶。

IPC (2件)：

C30B 29/16 ,  C30B 29/22

FI (2件)：

C30B29/16 ,  C30B29/22 501J

Fターム (7件)：

4G077AA02 ,  4G077AB07 ,  4G077BB02 ,  4G077CE04 ,  4G077HA08 ,  4G077HA12 ,  4G077NE09

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 特開平02-263794号公報
  
• マグネシア単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-345510   出願人：黒崎窯業株式会社, ジャパン・ゼネラル株式会社
• MgO単結晶基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-098130   出願人：黒崎窯業株式会社
• MgO単結晶基板の表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-127282   出願人：住友金属工業株式会社
• 酸化物単結晶基板の製造方法、及び電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-272529   出願人：理化学研究所, 株式会社ニコン
• マグネシア単結晶基板及びマグネシア単結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-157903   出願人：第一稀元素化学工業株式会社