特許
J-GLOBAL ID：200903003182283090

レジストパターン改善化材料およびそれを用いたパターンの製造方法

発明者：
野崎 耕司

野崎 耕司 について

, 
小澤 美和

小澤 美和 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-059429
公開番号（公開出願番号）：特開2003-255564
出願日： 2002年03月05日
公開日（公表日）： 2003年09月10日
要約：
【要約】【課題】 真空深紫外線領域でのフォトリソグラフィー手法によるパターニング技術において、パターン端が所望通りに綺麗に露光でき、もって微細なパターンを正確に描画できる簡便な手法の確立が課題である。【解決手段】 樹脂と架橋剤とからなる水溶性またはアルカリ可溶性の組成物から構成されるレジストパターン改質材料。
請求項（抜粋）：
樹脂と架橋剤とからなる水溶性またはアルカリ可溶性の組成物から構成されるレジストパターン改善化材料。
IPC (2件)：
G03F 7/40 511 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
G03F 7/40 511 ,  H01L 21/30 570
Fターム (7件)：
2H096AA25 ,  2H096HA02 ,  2H096HA05 ,  2H096HA30 ,  2H096LA30 ,  5F046LA19 ,  5F046NA19
引用特許：
審査官引用 (7件)
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