特許
J-GLOBAL ID：200903003190669461

半導体レーザ装置

発明者：
河田 敏也

河田 敏也 について

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浅香 浩

浅香 浩 について

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足立 秀人

足立 秀人 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-005202
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209322
出願日： 2002年01月11日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：
【要約】【課題】 第3上部クラッド層に発生する転位を抑制し動作電圧が低く高効率な埋込リッジ型半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 n型GaAs基板101、n型GaAsバッファ層102、n型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P下部クラッド層103、(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P層とGaInP層の歪量子井戸構造からなる活性層104、p型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P第1上部クラッド層105、p型GaInPエッチング停止層106、リッジ形状を有するp型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P第2上部クラッド層107、第2上部クラッド層107のリッジの側面に沿い及び底面の延長部に沿って形成されたGaAs電流ブロック層110、リッジ頂上面に形成された(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5の中間コンタクト層108、(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P第3上部クラッド層111、GaInP中間バンドギャップ層112、GaAsコンタクト層113が順次形成されている埋込リッジ型半導体レーザ装置。
請求項（抜粋）：
第1導電型の下部クラッド層と、その上方側に形成された活性層と、その上方側に形成された第2導電型の第1上部クラッド層と、その上方側に形成されたリッジ形状を有する第2導電型の第2上部クラッド層と、前記第2上部クラッド層のリッジの上面をカバーする第2導電型の中間コンタクト層と、前記第2上部クラッド層のリッジの側面に沿い及び底面の延長部に沿って形成された電流ブロック層と、前記中間コンタクト層と前記電流ブロック層の上に形成されていて前記活性層よりも大きなバンドギャップを有する第2導電型の第3上部クラッド層と、前記第3上部クラッド層の上方側に形成された第2導電型のコンタクト層とを有する半導体レーザ装置において、前記中間コンタクト層が(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>P(ただし0.3≦x≦1、0<y<1)もしくはAl<SB>Z</SB>Ga<SB>1-Z</SB>As(ただし0.2≦z<1)で構成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
Fターム (20件)：
5F073AA07 ,  5F073AA13 ,  5F073AA51 ,  5F073AA53 ,  5F073AA55 ,  5F073AA72 ,  5F073AA89 ,  5F073BA06 ,  5F073CA02 ,  5F073CA04 ,  5F073CA06 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073CB11 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073EA24 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (4件)
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