特許
J-GLOBAL ID：200903003246661698

低抵抗ITO薄膜及びその製造方法

発明者：
太田 裕道

太田 裕道 について

, 
折田 政寛

折田 政寛 について


出願人/特許権者：
HOYA株式会社

HOYA株式会社 について


代理人 (1件)： 藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-032262
公開番号（公開出願番号）：特開2009-108420
出願日： 2009年02月16日
公開日（公表日）： 2009年05月21日
要約：
【課題】1×10-4Ωcm未満の抵抗率を有する低抵抗ITO薄膜とその製造方法等を提供する。【解決手段】低電圧スパッタリング法、酸素クラスタービーム援用蒸着法、CVD法、有機金属CVD法、有機金属CVD-原子層積層法、及びMBE(分子線エピタキシー)法のうちから選ばれる成膜法を用いて結晶性基板上に形成する低抵抗ITO薄膜の製造方法であって、 結晶性基板の最表面の結晶性配列が、In2O3の結晶構造と適合するものであることを特徴とする低抵抗ITO薄膜の製造方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
低電圧スパッタリング法、酸素クラスタービーム援用蒸着法、CVD法、有機金属CVD法、有機金属CVD-原子層積層法、及びMBE(分子線エピタキシー)法のうちから選ばれる成膜法を用いて結晶性基板上に形成する低抵抗ITO薄膜の製造方法であって、 前記結晶性基板が、YSZ単結晶、表面にc軸配向性のZnO薄膜を形成した基板、及びサファイア基板のうちから選ばれる一であることを特徴とする低抵抗ITO薄膜の製造方法。
IPC (9件)：
C23C 14/08 ,  C23C 14/02 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/02 ,  C30B 25/06 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/22 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00
FI (9件)：
C23C14/08 D ,  C23C14/02 Z ,  C23C16/40 ,  C23C16/02 ,  C30B25/06 ,  C30B23/08 M ,  C30B29/22 Z ,  H01B5/14 A ,  H01B13/00 503B
Fターム (58件)：
4G077AA03 ,  4G077BB10 ,  4G077BC60 ,  4G077DA03 ,  4G077DA04 ,  4G077DA11 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE01 ,  4G077EE02 ,  4G077HA05 ,  4G077SC08 ,  4G077TB05 ,  4G077TB07 ,  4G077TB08 ,  4G077TC03 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4K029AA04 ,  4K029AA09 ,  4K029BA45 ,  4K029BA50 ,  4K029BB09 ,  4K029BC09 ,  4K029CA02 ,  4K029CA06 ,  4K029DB04 ,  4K029DB05 ,  4K029DB08 ,  4K029DB20 ,  4K029DC04 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05 ,  4K029EA08 ,  4K029FA04 ,  4K029FA06 ,  4K030AA11 ,  4K030BA11 ,  4K030BA42 ,  4K030BA45 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030DA02 ,  4K030DA04 ,  4K030JA10 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB03 ,  5G323BB04 ,  5G323BB05
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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