特許
J-GLOBAL ID：200903003261868193
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-134654
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321181
出願日： 1996年05月29日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 メモリーや汎用マイコンなどの小ピンの半導体素子をパッケージ化すると、組立工数の多さや組立ロス等によりコスト的にかなり割高になるとともに、小型化率が悪くなる。【解決手段】 弾性のある樹脂層16を介して半導体素子12上に直接、金属配線14とパッケージ電極11を設ける構造を取ることにより、セラミック等のインターポーザーを必要とせずに半導体装置の全体サイズをジャストチップサイズにできる。しかも個々の組立を行なわずウエハ単位で一括して加工を行なうため低コストでパッケージ化することが可能になる。
請求項（抜粋）：
半導体素子の電極上にバリアメタルを有し、前記半導体素子の表面のパシベーション膜上に前記半導体素子の電極部に相当する位置に開口部を有する樹脂膜を有し、前記樹脂膜上に前記バリアメタルから配線される金属配線を有し、さらに前記金属配線上と前記樹脂膜上に前記金属配線の一部分に開口部を有する保護膜を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
