特許
J-GLOBAL ID:200903003289996464

化学増幅型ポジ型レジスト組成物用酸発生樹脂

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 久保山 隆 ,  中山 亨 ,  榎本 雅之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-351839
公開番号(公開出願番号):特開2007-197718
出願日: 2006年12月27日
公開日(公表日): 2007年08月09日
要約:
【課題】解像度に優れた化学増幅型ポジ型レジスト組成物を与える化学増幅型ポジ型レジスト組成物用酸発生剤となる化学増幅型ポジ型レジスト組成物用酸発生樹脂を提供する。【解決手段】高分子からなり、該高分子を構成する繰り返し単位として、放射線照射により酸を発生する塩のアニオン部分が結合した繰り返し単位であり、かつ繰り返し単位のカチオン部分以外の炭素原子間の結合がすべて一重結合である繰り返し単位を含むことを特徴とする酸発生樹脂。【選択図】なし
請求項(抜粋):
高分子からなり、該高分子を構成する繰り返し単位として、放射線照射により酸を発生する塩のアニオン部分が結合した繰り返し単位であり、かつ繰り返し単位のカチオン部分以外の炭素原子間の結合がすべて一重結合である繰り返し単位を含むことを特徴とする酸発生樹脂。
IPC (4件):
C08F 20/38 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  C08F 32/08
FI (4件):
C08F20/38 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  C08F32/08
Fターム (42件):
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BF11 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB42 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AK38Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AL08T ,  4J100AM21P ,  4J100AR11P ,  4J100AR21P ,  4J100BA02P ,  4J100BA03R ,  4J100BA11S ,  4J100BA11T ,  4J100BA15P ,  4J100BA34P ,  4J100BA56P ,  4J100BB07P ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC08P ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12P ,  4J100BC53S ,  4J100BC53T ,  4J100CA03 ,  4J100JA00
引用特許:
審査官引用 (9件)
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