特許
J-GLOBAL ID：200903003361489947
半導体センサおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-261369
公開番号（公開出願番号）：特開平11-101818
出願日： 1997年09月26日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：
【要約】【課題】 大口径のウエハを用いて大量生産を行うことにより生産コストを削減し、また、工程の容易化を図り、歩留まりを向上させ、さらに、3層構造の場合におけるセンサ感度のばらつきやウエハの反りによるオフセットのばらつきの低減を図り、信頼性の高い半導体センサおよびその製造方法。【解決手段】 3層構造の基板を用いた場合、検出構造体103の可動部分110a,110bの全面に渡って均一な幅の切欠部108a,108bを形成する加工工程、回路部の形成工程、犠牲層102を除去する除去工程を順次各々独立して行うことにより、検出構造体103の加工精度を向上させ、感度ばらつきの少ないセンサを製造する。
請求項（抜粋）：
支持基板の第1層上に絶縁性の第2層を介して第3層が形成され、該第3層にセンサ機能の検出構造体を有する半導体センサであって、前記検出構造体の検出面と前記第1層との間の前記第2層は除去されており、該第2層が除去されている検出構造体の検出面に、検出素子を有する梁部と、全面に渡って同一幅の切欠部が複数形成され該梁部を変位させるための重り部とが設けられたことを特徴とする半導体センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01P 15/12
, H01L 29/84 A
