特許
J-GLOBAL ID：200903021423824649
絶縁体上シリコン技術を用いた加速度計の製造方法およびそれにより得られる加速度計
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-337915
公開番号（公開出願番号）：特開平7-098327
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】 優れた計測特性を有し、高密度で小型化が図れ製造コストが低く、しかも基板面に対し垂直または平行な感知軸を持った加速度計を得ることを目的とする。【構成】 本発明に係る加速度計の製造方法は次の工程を含んでいる。a)シリコン基板(8)上にあって、絶縁層(28)によってシリコン基板から分離された導電性の単結晶のシリコンフィルム(32)を製造する工程、b)可動部材(2,6)および計測手段(12,20,16)を形成するために、シリコンフィルム(32)および絶縁層(28)を前記基板(8)までエッチングする工程、c)計測手段のための電気接点(24,26)を製造する工程、d)可動部材(2,6)を自由にするために絶縁層(32)の部分的除去して、絶縁層(28)の残余分が基板と可動部材とを一体化させる工程。
請求項（抜粋）：
下記の工程を有することを特徴とする、可動要素を有した集積加速度計の製造方法。(a)シリコン基板上にあって、絶縁層によって該基板と分離された単結晶シリコンフィルムを製造する工程、(b)前記可動要素を形成するために、前記シリコンフィルムおよび絶縁層を前記基板までエッチングする工程、および、(c)前記可動要素を自由とするために前記絶縁層を部分的に除去し、該除去による該絶縁層の残余部分によって前記可動要素と前記基板を結合する工程。
IPC (3件)：
G01P 15/12
, H01L 21/306
, H01L 29/84
審査官引用 (8件)
-
特開昭59-044875
-
半導体加速度センサ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-174593
出願人：富士電機株式会社
-
特開平4-326033
全件表示
前のページに戻る
