特許
J-GLOBAL ID：200903003483487805

コンデンサ、コンデンサの製造方法、配線基板、デカップリング回路及び高周波回路

発明者：
佐藤 恒

佐藤 恒 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-009439
公開番号（公開出願番号）：特開2005-203623
出願日： 2004年01月16日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：
【課題】簡単且つ安価な製法で、低ESL且つ高容量を実現したコンデンサを提供する。【解決手段】第1コンデンサ部11と第2コンデンサ部12と、を前記第2貫通導体6aが前記第4貫通導体6bに接続されるようにして積層方向に一体化してなるコンデンサ10であって、前記第1コンデンサ部11において、前記第3貫通導体5bに接続されるように形成された第5貫通導体5Aは、その電気抵抗が前記第1〜第4貫通導体5a〜6bの電気抵抗よりも高く設定されるとともに、前記複数の第1導体層3aのうち前記第2コンデンサ部12から最も離れた位置に形成された一つの第1導体層3aに接続されているコンデンサとする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数積層された誘電体層と、各誘電体層間に交互に配置され、各々が対向し合う複数の第1導体層及び第2導体層と、前記誘電体層の厚み方向を貫き、且つ、前記第1導体層どうしを接続する複数の第1貫通導体及び前記第2導体層どうしを接続する複数の第2貫通導体とが形成されてなる第1コンデンサ部と、 複数積層された誘電体層と、各誘電体層間に交互に配置され、各々が対向し合う複数の第3導体層及び第4導体層と、前記誘電体層の厚み方向を貫き、且つ、前記第3導体層どうしを接続する第3貫通導体と、前記第4導体層どうしを接続する第4貫通導体とが形成されてなる第2コンデンサ部と、を前記第2貫通導体が前記第4貫通導体に接続されるようにして積層方向に一体化してなるコンデンサであって、 前記第1コンデンサ部において、前記第3貫通導体に接続されるように形成された第5貫通導体は、その電気抵抗が前記第1〜第4貫通導体の電気抵抗よりも高く設定されるとともに、前記複数の第1導体層のうち前記第2コンデンサ部から最も離れた位置に形成された一つの第1導体層に接続されていることを特徴とするコンデンサ。
IPC (2件)：
H01G4/38 ,  H05K3/46
FI (2件)：
H01G4/38 A ,  H05K3/46 Q
Fターム (11件)：
5E082BC14 ,  5E082CC03 ,  5E082FG06 ,  5E082FG26 ,  5E082JJ09 ,  5E082JJ15 ,  5E346AA13 ,  5E346AA15 ,  5E346AA60 ,  5E346FF45 ,  5E346HH02
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM