特許
J-GLOBAL ID：200903003515043661

垂直共振器型面発光レーザ素子

発明者：
横内 則之

横内 則之 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-239946
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068604
出願日： 1998年08月26日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】 低しきい値でマルチ縦モード発振できる垂直共振器型面発光レーザ素子を提供する。【解決手段】 本面発光レーザ40は、Ga As 基板12上に、順次、n-GaAsバッファ層14、下部半導体多層膜反射鏡44、発光層構造18、及び上部半導体多層膜反射鏡20を備え、更に、上面に表面側電極22、及び裏面に裏面側電極24と裏面多層膜反射鏡42を備えている。上部半導体多層膜反射鏡、発光構造及び下部半導体多層膜反射鏡の一部上層は、円筒状溝32により円柱状のメサ型に加工されている。メサの上部半導体多層膜反射鏡の上面中央の光出射窓38を除く基板全面には、ポリイミド膜が成膜され円筒状溝32を埋め込んでいる。Ga As 基板の裏面には、光出射窓と対向する位置に3ペアのSi膜/SiO2 膜の対からなる裏面多層膜反射鏡42と、裏面多層膜反射鏡を除く領域に裏面側電極24が設けてある。また、光出射窓を除く基板上面には表面側電極22が形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された一対のレーザ反射鏡と、1対の反射鏡の間に設けられた発光層とを有する垂直共振器型面発光レーザ素子において、半導体基板が発振波長に対して透明であり、かつ光出射窓に対向する半導体基板裏面の位置に第3の反射鏡を備えていることを特徴とする垂直共振器型面発光レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/30 ,  H01L 21/31
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/31 B
Fターム (17件)：
5F045AB02 ,  5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB32 ,  5F045AB39 ,  5F045AF04 ,  5F045BB16 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F073AB17 ,  5F073BA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB20 ,  5F073DA27 ,  5F073EA14 ,  5F073EA23
引用特許：
審査官引用 (5件)
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