特許

J-GLOBAL ID：200903003530079680

磁気記憶装置

発明者： 長永 隆志 ,  黒岩 丈晴 ,  高田 裕 ,  猪俣 浩一郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  猪俣 浩一郎
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-026909
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229543
出願日： 2002年02月04日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】 十分なS/N比と微細なセル面積との双方を両立できる磁気記憶装置を提供する。【解決手段】 本発明の磁気記憶装置は、トンネル磁気抵抗効果によりデータを記憶するものであって、作動検出可能なように積層された少なくとも2つのトンネル磁気抵抗効果素子1a、1bを備えている。この2つのトンネル磁気抵抗効果素子1a、1bの各々は、たとえばワード線3を挟んで積層されている。

請求項（抜粋）：

トンネル磁気抵抗効果によりデータを記憶する磁気記憶装置であって、作動検出可能なように積層された少なくとも2つのトンネル磁気抵抗効果素子を備えた、磁気記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (11件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083JA37 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA03 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-075168   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性半導体記憶装置及び情報記録方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-199590   出願人：日本電気株式会社
• 磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-286653   出願人：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-126468   出願人：富士通株式会社
• トンネル磁気抵抗効果素子、及びトンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-160977   出願人：ソニー株式会社