特許
J-GLOBAL ID：200903003566058779

成膜方法および記憶媒体

発明者：
石坂 忠大

石坂 忠大 について

, 
五味 淳

五味 淳 について

, 
若林 哲

若林 哲 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-367789
公開番号（公開出願番号）：特開2006-169617
出願日： 2004年12月20日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：
【課題】 プラズマ励起を要する成膜方法において、清浄で安定な成膜を実現する。【解決手段】 被処理基板を保持する保持台を内部に備えた処理容器と、前記処理容器内に成膜のための処理ガスを供給し、当該処理容器内にプラズマを励起するための高周波電力が印加されるシャワーヘッド部と、を有する成膜装置による成膜方法であって、前記被処理基板上に金属を含む薄膜を形成する成膜工程と、前記成膜工程の前に前記シャワーヘッド部に別の金属を含む保護膜を形成する保護膜形成工程と、を有することを特徴とする成膜方法。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
被処理基板を保持する保持台を内部に備えた処理容器と、 高周波電力が印加可能に構成された、前記処理容器内に成膜ガスまたは当該成膜ガスを還元する還元ガスを供給するガス供給部と、を備えた成膜装置による成膜方法であって、 前記処理容器内に金属元素とハロゲン元素を含む前記成膜ガスを供給する第1の工程と、 前記処理容器内に前記還元ガスを供給する第2の工程と、 前記ガス供給部に高周波電力を印加して前記処理容器内にプラズマを励起し、前記被処理基板上に成膜を行う第3の工程と、を有し、 前記第3の工程で活性化される前記ハロゲン元素のエッチングから、前記ガス供給部を保護する保護膜を形成する保護膜形成工程をさらに設けたことを特徴とする成膜方法。
IPC (3件)：
C23C 16/08 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285
FI (3件)：
C23C16/08 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C
Fターム (33件)：
4K030AA02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA27 ,  4K030BA29 ,  4K030BA37 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030EA05 ,  4K030EA11 ,  4K030FA03 ,  4K030KA22 ,  4K030KA41 ,  4K030KA47 ,  4K030LA15 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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