特許
J-GLOBAL ID：200903003606399981
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-338744
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313333
出願日： 2000年11月07日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：
【要約】【課題】 炭素含有シリコン酸化膜からなる絶縁膜に埋め込まれた金属配線を有する半導体装置において、金属配線間の寄生容量を確実に低減できるようにする。【解決手段】 シリコン基板1上の第1の絶縁膜2の上には炭素含有シリコン酸化膜からなる第2の絶縁膜3が形成されており、該第2の絶縁膜3には配線溝5が形成されている。配線溝5の壁部及び底部には、20nm程度以下の均一な厚さを有すると共に2.0g/cm3 以上の高い密度を有するシリコン酸化層6が形成されている。配線溝5のシリコン酸化層6の内側には金属配線7が埋め込まれている。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された炭素含有シリコン膜からなる絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された配線溝と、前記配線溝の壁部及び底部に形成されており、酸素を殆ど透過させないような高い密度を持つシリコン酸化層と、前記配線溝の内部における前記シリコン酸化層の内側に形成された金属配線とを備えていることを特徴とする半導体装置。
Fターム (25件)：
5F033HH11
, 5F033HH32
, 5F033MM01
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033QQ09
, 5F033QQ12
, 5F033QQ13
, 5F033QQ15
, 5F033QQ16
, 5F033QQ19
, 5F033QQ31
, 5F033QQ48
, 5F033RR04
, 5F033RR23
, 5F033RR25
, 5F033SS15
, 5F033TT04
, 5F033WW00
, 5F033WW02
, 5F033WW05
, 5F033XX14
, 5F033XX24
