特許
J-GLOBAL ID:200903003624961522
積層セラミック電子部品およびその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
森下 武一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-154932
公開番号(公開出願番号):特開2005-340371
出願日: 2004年05月25日
公開日(公表日): 2005年12月08日
要約:
【課題】 高周波特性を維持しつつ、外部電極相互の間隔を充分確保した、マイグレーションなどの信頼性に対して強い積層セラミック電子部品およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 積層体20の上面、側面および下面に延在し、かつ、積層体20の側面に導出した内部信号導体2や内部グランド導体3の引出し部2a,3aのそれぞれに電気的に接続する帯状の厚膜導体45を形成する。次に、積層体20をめっき浴槽に入れて湿式めっき(電解めっき)を行う。積層体20の側面に導出した内部グランド導体3の引出し部3aに厚膜導体45が電気的に接続しているので、厚膜導体45に覆われていない引出し部3aの露出部分にも、めっき膜が析出する。めっき膜は四方にめっき膜の厚み程度成長するため、引出し部3a相互の間隔をめっき膜の厚みの2倍以下に設定しておくことにより、引出し部3aの両サイドから成長しためっき膜が、引出し部3a相互間の隙間を覆う。【選択図】 図4
請求項(抜粋):
複数の内部導体と複数のセラミック層を積層して構成した矩形体状のセラミック積層体と、
前記セラミック積層体の表面に設けられ、かつ、セラミック積層体の側面に導出した前記内部導体の引出し部に電気的に接続している外部電極とを備え、
前記外部電極が、
前記セラミック積層体の上面、側面および下面に延在し、かつ、セラミック積層体の側面に導出した前記内部導体の引出し部のそれぞれの一部分に接続している帯状の厚膜導体と、
前記厚膜導体を覆い、かつ、セラミック積層体の側面に導出した前記内部導体の引出し部を全て覆った状態で、前記セラミック積層体の側面に設けられているめっき膜とからなること、
を特徴とする積層セラミック電子部品。
IPC (2件):
FI (5件):
H01G4/12 352
, H01G4/12 364
, H01G4/30 301B
, H01G4/30 301D
, H01G4/30 311E
Fターム (39件):
5E001AB03
, 5E001AC02
, 5E001AC03
, 5E001AE02
, 5E001AE03
, 5E001AF02
, 5E001AF03
, 5E001AF06
, 5E001AH01
, 5E001AH07
, 5E001AJ01
, 5E001AJ03
, 5E082AA01
, 5E082AB03
, 5E082BB01
, 5E082BC14
, 5E082BC32
, 5E082BC33
, 5E082BC40
, 5E082CC19
, 5E082EE04
, 5E082EE23
, 5E082EE26
, 5E082EE35
, 5E082FF05
, 5E082FG04
, 5E082FG26
, 5E082FG46
, 5E082FG54
, 5E082GG10
, 5E082GG11
, 5E082GG26
, 5E082GG28
, 5E082JJ03
, 5E082JJ12
, 5E082JJ15
, 5E082JJ23
, 5E082KK01
, 5E082LL02
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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