半導体装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-375610
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184973
出願日： 2000年12月11日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】シリコン酸化物より比誘電率の高い絶縁膜をゲート絶縁膜とし、高速で作動し、短チャネル特性と駆動電流に優れ、金属元素のシリコン基板中への導入の少ない半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体基板上に、比誘電率がシリコン酸化膜より高い絶縁膜であるチタン酸化膜103をゲート絶縁膜として設け、この上にゲート電極104を配置し電界効果トランジスタとし、このチタン酸化膜103のゲート長方向の端部を、ゲート電極104のソース側、ドレイン側の端部より内側に位置させ、かつ、このチタン酸化膜103の端部を、ゲート電極104と、ソース領域及びドレイン領域107とが平面的にオーバーラップする領域に位置させるようにした半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が配置された電界効果トランジスタを有する半導体装置において、上記ゲート絶縁膜は、比誘電率がシリコン酸化膜より高い絶縁膜であり、上記ゲート絶縁膜のゲート長方向の端部は、上記ゲート電極のソース側、ドレイン側の端部より内側に位置し、かつ、上記ゲート絶縁膜の上記端部は、上記ゲート電極と、ソース領域及びドレイン領域とが平面的にオーバーラップする領域に位置していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/8234 , H01L 27/088

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 102 C

Fターム (30件)：

5F040DA01 , 5F040DA02 , 5F040DA06 , 5F040DA17 , 5F040DA19 , 5F040DB01 , 5F040DB03 , 5F040EC04 , 5F040EC07 , 5F040EC08 , 5F040EC09 , 5F040ED01 , 5F040ED03 , 5F040ED09 , 5F040EF01 , 5F040EK05 , 5F040FB04 , 5F040FC10 , 5F040FC13 , 5F040FC19 , 5F040FC22 , 5F040FC23 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BG01 , 5F048BG13

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-307271
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-000190 出願人：富士通株式会社
高誘電率シリケート・ゲート誘電体
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-242453 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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引用文献：

審査官引用 (1件)

MOSCAP and MOSFET characteristics using ZrO2 gate dielectric deposited directly on Si

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