特許
J-GLOBAL ID：200903003665894503

発光素子及びその製造方法

発明者：
山田 雅人

山田 雅人 について

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鈴木 金吾

鈴木 金吾 について

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石崎 順也

石崎 順也 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-308966
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146538
出願日： 2002年10月23日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】化合物半導体により構成された発光層部上に透明導電性酸化物層が形成されている発光素子において、透明導電性酸化物層と発光層部との間で電流の導通を良好に行うことができる発光素子とその製造方法を提供する。【解決手段】(AlxGa1-x)yIn1-yP(ただし、0<x≦1、0<y≦1)により構成された発光層部9上に、金属膜としてのAu膜7が部分的に形成されている。そして、GaAsにてなるコンタクト層6が発光層部9と金属膜7との間に介挿されている。このコンタクト層6は、発光層部9よりもバンドギャップエネルギーが小さく、Au膜7とオーミック接触し、かつ、Alを含まない。さらに、発光層部9とAu膜(金属膜)7とを覆うように透明導電性酸化物層としてのITO膜8が形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
化合物半導体により構成された発光層部上に、金属膜が部分的に形成されており、 前記発光層部よりもバンドギャップエネルギーが小さく、前記金属膜とオーミック接触し、かつ、Alを含まない化合物半導体からなるコンタクト層が前記発光層部と前記金属膜との間に介挿されており、 さらに、前記発光層部と前記金属膜とを覆うように透明導電性酸化物層が形成されていることを特徴とする発光素子。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (2件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 B
Fターム (10件)：
5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98
引用特許：
審査官引用 (4件)
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