特許
J-GLOBAL ID：200903076629767845
半導体素子の製造方法および半導体発光素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-321117
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144322
出願日： 1999年11月11日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】 接着工程の熱処理による発光部への悪影響を回避して、発光効率の良好な半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n型GaAs基板10上に、エピタキシャル成長によりn型GaAsバッファー層44とn型InGaAlPバッファー層34とを形成し、n型InGaAlPバッファー層34にn型GaP基板30を接着する。続いて、n型GaAs基板10とn型GaAsバッファー層44とを除去し、このn型GaAsバッファー層44を除去した面のn型InGaAlPバッファー層34上に、n型InAlPクラッド層14とInGaAlP活性層16とp型InAlPクラッド層18とからなる発光部20をエピタキシャル成長により形成する。
請求項（抜粋）：
第1の半導体基板上に、この第1の半導体基板と格子整合する1又は複数の第1の半導体層を形成する工程と、前記第1の半導体層に第2の半導体基板を接着する工程と、前記第1の半導体基板を除去する工程と、前記第1の半導体層の前記第1の半導体基板を除去した面に、1又は複数の第2の半導体層を形成する工程と、を備えるすることを特徴とする半導体素子の製造方法。
Fターム (11件)：
5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA37
, 5F041CA53
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA77
, 5F041CA88
