特許
J-GLOBAL ID：200903003666458650
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
河宮 治
, 山田 卓二
, 中野 晴夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-339730
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109100
出願日： 2003年09月30日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】 放熱特性に優れ、かつ絶縁性が高く、更に小型化が可能な、電力用の半導体装置を提供する。【解決手段】 チップが樹脂モールドされた半導体装置が、表面と裏面を備えダイパッドを含むフレームと、ダイパッドの表面に載置されたパワーチップと、対向する第1面と第2面とを備えダイパッドの裏面がその第1面と接するように配置された絶縁性の樹脂シートと、樹脂シートの第1面上にパワーチップを封止するように設けられたモールド樹脂とを含む。樹脂シートの熱伝導率は、モールド樹脂の熱伝導率より大きい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
チップが樹脂モールドされた半導体装置であって、
表面と裏面を備え、ダイパッドを含むフレームと、
該ダイパッドの該表面に載置されたパワーチップと、
対向する第1面と第2面とを備え、該ダイパッドの該裏面がその第1面と接するように配置された絶縁性の樹脂シートと、
該樹脂シートの該第1面上に、該パワーチップを封止するように設けられたモールド樹脂とを含み、
該樹脂シートの熱伝導率が、該モールド樹脂の熱伝導率より大きいことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L23/29
, H01L21/56
, H01L23/50
H01L23/36 A
, H01L21/56 R
, H01L23/50 G
5F036AA01
, 5F036BA23
, 5F036BB21
, 5F036BC05
, 5F036BC23
, 5F036BD21
, 5F061AA01
, 5F061BA01
, 5F061CA21
, 5F061CB03
, 5F067AA03
, 5F067CA01
, 5F067DE01
出願人引用 (2件)
-
半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-310980
出願人：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
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半導体電力モジュール及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-300616
出願人：フェアチャイルドコリア半導体株式会社
審査官引用 (5件)
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