特許
J-GLOBAL ID：200903070734947966
半導体パワーモジュールおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-312641
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124400
出願日： 2001年10月10日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：
【要約】【課題】 放熱性に優れ、低コストで、かつ、電気絶縁特性が良好な半導体パワーモジュールおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体パワーモジュールにおいて、配線パターンおよび外部端子を構成しているリードフレーム4を、接着樹脂層3を介して絶縁樹脂層2上に固着させる構成とした。また、金属絶縁板、接着樹脂層3、および、予め素子6を実装させたリードフレーム4を積層させ、その状態で加圧加熱しながら樹脂モールドし、樹脂モールド時にリードフレームが絶縁樹脂層2上に接着樹脂層3を介して固着させるようにした。更に、金属絶縁板に予め接着樹脂層3を形成して大面積の金属絶縁板を製造することとし、接着樹脂層3を形成する際の接着シートの打抜工程を不要とした。
請求項（抜粋）：
板状金属のヒートシンクの一方の主面に、電気絶縁性で熱良導性の絶縁樹脂層を備えて構成した金属絶縁板と、該金属絶縁板の前記絶縁樹脂層上に設けられたリードフレームとからなり、前記金属絶縁板と前記リードフレームとが接着樹脂層を介して固着されていることを特徴とする半導体パワーモジュール用回路基板。
IPC (5件)：
H01L 23/28
, H01L 21/56
, H01L 23/50
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L 23/28 B
, H01L 21/56 T
, H01L 23/50 Y
, H01L 25/04 C
4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109CA21
, 4M109DB02
, 4M109FA00
, 4M109GA05
, 5F061AA01
, 5F061BA01
, 5F061CA21
, 5F061DD13
, 5F061FA05
, 5F067AA02
, 5F067AA03
, 5F067CA02
, 5F067CB02
, 5F067CC02
, 5F067CC09
