特許
J-GLOBAL ID：200903003683048440
電気めっき槽中の金属ナノ結晶体粒子を使用して形成された複合金属層
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
龍華 明裕
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-511485
公開番号（公開出願番号）：特表2008-544077
出願日： 2006年06月28日
公開日（公表日）： 2008年12月04日
要約：
基板上に複合金属層を形成する方法は、第一金属の複数のナノ結晶粒子を提供する工程と、複数のナノ結晶粒子を、第二金属の複数のイオンを持つ一のめっき槽に加えて一のコロイド状懸濁を形成する工程と、一の基板をめっき槽に浸漬する工程と、第二金属と第一金属の複数のナノ結晶粒子とを基板上に共析出させて、一の複合金属層を形成する工程と、を含む。共析出させる工程は、一の負のバイアスを基板に与えることと、一の電流をめっき槽に加えて、一の電気めっきプロセスを生じさせることとを含み、第二金属の複数のイオンは基板により還元され、基板上で第一金属の複数のナノ結晶粒子とともに共析出されて、複合金属層を形成する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
第一金属の複数のナノ結晶粒子を提供する工程と、
前記複数のナノ結晶粒子を、第二金属の複数のイオンを持つ一のめっき槽に加えて一のコロイド状懸濁を形成する工程と、
一の基板を前記めっき槽に浸漬する工程と、
前記第二金属と前記第一金属の前記複数のナノ結晶粒子とを前記基板上に共析出させて、一の複合金属層を形成する工程と、を含む方法。
IPC (4件)：
C25D 15/02
, C25D 7/12
, C23C 18/52
, H01L 21/288
C25D15/02 E
, C25D7/12
, C23C18/52 A
, H01L21/288 E
4K022AA05
, 4K022AA41
, 4K022BA03
, 4K022BA08
, 4K022BA34
, 4K022BA35
, 4K022DA01
, 4K024AA09
, 4K024BB12
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104BB14
, 4M104BB36
, 4M104BB37
, 4M104DD52
, 4M104DD53
, 4M104FF22
