特許

J-GLOBAL ID：200903003686616848

誘電体膜、キャパシタ絶縁膜及びスパッタリングターゲット

発明者： 谷村 径夫 ,  木村 勲 ,  谷 典明 ,  小松 孝 ,  鄒 紅コウ ,  金 豊 ,  小寺 正裕 ,  中畠 求 ,  和田 優
出願人/特許権者： 株式会社アルバック ,  真空冶金株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-151753
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332126
出願日： 2000年05月23日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】 誘電率の低下を抑制し、リーク電流や誘電損失の増加を抑制することによって、キャパシタ絶縁膜の誘電特性を向上させ、半導体メモリ素子又は薄膜コンデンサの高速化、微細化に寄与するBST膜、このBST膜を用いたキャパシタ絶縁膜、及びこのBST膜を作製する際に用いるスパッタリングターゲットの提供。【解決手段】 誘電体膜が、BSTにAl及びBiの少なくとも一種を添加したものからなり、Al及びBiを各々2.0atm.以下の範囲で添加する。この誘電体膜が導入されてなるキャパシタ絶縁膜。スパッタリングターゲットがBSTにAl及びBiの少なくとも一種を添加したものからなる。

請求項（抜粋）：

BSTにAl及びBiの少なくとも一種を添加したものからなることを特徴とする誘電体膜。

IPC (8件)：

H01B 3/12 303 ,  C01G 23/00 ,  C23C 14/34 ,  H01B 3/00 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (6件)：

H01B 3/12 303 ,  C01G 23/00 C ,  C23C 14/34 A ,  H01B 3/00 F ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

Fターム (37件)：

4G047CA07 ,  4G047CB04 ,  4G047CC02 ,  4G047CD02 ,  4K029BA50 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD11 ,  5F083GA06 ,  5F083GA25 ,  5F083JA14 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083PR22 ,  5G303AA01 ,  5G303AA07 ,  5G303AB06 ,  5G303AB07 ,  5G303AB20 ,  5G303BA03 ,  5G303CA01 ,  5G303CB01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB05 ,  5G303CB32 ,  5G303CB35

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 強誘電体材料および該材料をゲートとして用いたMFSFET
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-156041   出願人：株式会社リコー
• 薄膜キャパシタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-238088   出願人：株式会社東芝
• 薄膜誘電材料用ドナードープペロブスカイト材料形成方法及びこの材料を含む構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-127337   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 薄膜積層コンデンサおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-299538   出願人：株式会社村田製作所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Leakage current of Al- or Nb-doped Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films by rf magnetron sputtering