III-V族化合物結晶およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-129829
公開番号（公開出願番号）：特開2004-331453
出願日： 2003年05月08日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】種々の基板を用いてもクラックを発生することなく良好なIII-V族化合物結晶が得られる簡便でコストの低いIII-V族化合物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に金属膜2を堆積する工程と、前記金属膜2をパターニングする化合物の存在雰囲気下で熱処理する工程と、前記熱処理後の金属膜2上にIII-V族化合物結晶4を成長させる工程とを備えることを特徴とするIII-V族化合物結晶の製造方法。また、上記熱処理工程の後に、前記熱処理後の金属膜上にIII-V族化合物バッファ膜を成長させる工程と、前記III-V族化合物バッファ膜上にIII-V族化合物結晶を成長させる工程とを備えることを特徴とするIII-V族化合物結晶の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に金属膜を堆積する工程と、前記金属膜をパターニングする化合物の存在雰囲気下で熱処理する工程と、前記熱処理後の金属膜上にIII-V族化合物結晶を成長させる工程とを備えることを特徴とするIII-V族化合物結晶の製造方法。

IPC (6件)：

C30B29/40 , C30B29/38 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/00 , H01S5/323

FI (6件)：

C30B29/40 502H , C30B29/38 D , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/00 C , H01S5/323 610

Fターム (41件)：

4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CF10 , 4G077EG02 , 4G077PD01 , 4G077PD05 , 5F041AA31 , 5F041AA40 , 5F041CA33 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA64 , 5F041CA67 , 5F041CA73 , 5F041CA75 , 5F041CA77 , 5F045AA02 , 5F045AB14 , 5F045AB18 , 5F045AF03 , 5F045AF06 , 5F045AF09 , 5F045AF10 , 5F045BB13 , 5F045DA53 , 5F045DB06 , 5F052DA04 , 5F052EA13 , 5F052KA05 , 5F073AA55 , 5F073CA02 , 5F073CB04 , 5F073CB05 , 5F073DA04 , 5F073DA07 , 5F073DA16 , 5F073DA35 , 5F073EA29 , 5F073HA02 , 5F073HA10 , 5F073HA11

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-063281 出願人：松下電器産業株式会社
金配線を有する半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-231430 出願人：シャープ株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-129188 出願人：日本電気株式会社

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