ポリイミド樹脂の無機薄膜形成方法及び表面改質した無機薄膜形成用ポリイミド樹脂の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：西川惠清 , 森厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-273062
公開番号（公開出願番号）：特開2005-029735
出願日： 2003年07月10日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】無機薄膜を密着信頼性及びパターン精度高くポリイミド樹脂表面に形成することができるポリイミド樹脂の無機薄膜形成方法を提供する。【解決手段】 (1)ポリイミド樹脂の無機薄膜形成部位にアルカリ性アルコール水溶液を塗布し、ポリイミド樹脂表面の一部を溶解して凹部を形成すると共に、凹部近傍のポリイミド樹脂のイミド環を開裂してカルボキシル基を生成する工程。(2)前記カルボキシル基を有するポリイミド樹脂に金属イオン含有溶液を接触させてカルボキシル基の金属塩を生成する工程。(3)前記金属塩を金属として、もしくは金属酸化物或いは半導体として、ポリイミド樹脂表面に析出させて無機薄膜を形成する工程。これらの工程から、ポリイミド樹脂の表面に無機薄膜を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ポリイミド樹脂の表面に無機薄膜を形成するにあたって、(1)ポリイミド樹脂の無機薄膜形成部位にアルカリ性アルコール水溶液を塗布し、ポリイミド樹脂表面の一部を溶解して凹部を形成すると共に、凹部近傍のポリイミド樹脂のイミド環を開裂してカルボキシル基を生成する工程、(2)前記カルボキシル基を有するポリイミド樹脂に金属イオン含有溶液を接触させてカルボキシル基の金属塩を生成する工程、(3)前記金属塩を金属として、もしくは金属酸化物或いは半導体として、ポリイミド樹脂表面に析出させて無機薄膜を形成する工程、とを有することを特徴とするポリイミド樹脂の無機薄膜形成方法。

IPC (7件)：

C08J7/04 , C08J7/12 , C23C18/16 , C23C18/20 , C23C18/28 , C23C18/38 , H05K3/18

FI (7件)：

C08J7/04 A , C08J7/12 B , C23C18/16 A , C23C18/20 A , C23C18/28 , C23C18/38 , H05K3/18 B

Fターム (50件)：

4F006AA39 , 4F006AB64 , 4F006AB68 , 4F006AB73 , 4F006AB74 , 4F006BA06 , 4F006BA07 , 4F006BA08 , 4F006CA08 , 4F006DA03 , 4F006DA04 , 4F006EA01 , 4F073AA04 , 4F073AA27 , 4F073AA28 , 4F073BA31 , 4F073BB01 , 4F073EA01 , 4F073EA21 , 4F073EA41 , 4F073EA42 , 4F073EA54 , 4F073EA55 , 4F073EA57 , 4F073EA60 , 4F073EA62 , 4K022AA15 , 4K022AA42 , 4K022BA08 , 4K022BA35 , 4K022CA06 , 4K022CA12 , 4K022CA19 , 4K022DA01 , 5E343AA02 , 5E343AA18 , 5E343BB06 , 5E343BB24 , 5E343BB71 , 5E343CC32 , 5E343CC52 , 5E343CC54 , 5E343CC71 , 5E343DD12 , 5E343DD33 , 5E343EE37 , 5E343EE39 , 5E343ER04 , 5E343GG01 , 5E343GG08

引用特許：

出願人引用 (1件)

ポリイミド樹脂表面への導電性皮膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-247667 出願人：日本リーロナール株式会社

審査官引用 (5件)

ポリイミド樹脂表面への導電性皮膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-247667 出願人：日本リーロナール株式会社
ポリイミド基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-134947 出願人：東レエンジニアリング株式会社, レイテック株式会社
ポリイミド樹脂成形品の無電解めっき方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-196246 出願人：三井化学株式会社, 高木謙行

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