特許
J-GLOBAL ID:200903003845016849

パターン描画装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 松浦 孝 ,  小倉 洋樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-201770
公開番号(公開出願番号):特開2005-043555
出願日: 2003年07月25日
公開日(公表日): 2005年02月17日
要約:
【課題】ビームの照射位置のずれ測定を簡易な構成で実現し、且つ効率的に位置ずれ調整を行う。【解決手段】直接回路パターンを形成するパターン描画装置において、プリント基板の代わりに、主走査方向、副走査方向に沿って画素が配列されたフォトセンサを配置した計測板を描画テーブルに設置する。そして、目標ととなる基準位置(x0、y0)に向けてレーザビームを照射させる。照射位置(x、y)と基準位置(x0、y0)との間にずれが生じた場合、位置ずれ調整を行う。【選択図】 図5
請求項(抜粋):
パターン形成のためビームを放射する光源と、 前記ビームを被描画体へ導く露光用光学系と、 前記ビームの光路に配置され、前記ビームを選択的に変調する光変調素子と、 前記被描画体を支持するテーブルを、前記露光用光学系に対し副走査方向に沿って相対移動させるテーブル相対移動機構と、 パターンを形成するように、前記光変調素子、前記テーブル相対移動機構および前記露光用光学系を制御する描画制御部と、 前記ビームが結像する露光面上に、副走査方向および主走査方向に沿って画素が2次元配列されたフォトセンサを配置した計測用部材と、 前記フォトセンサに設定された第1の基準位置と第2の基準位置とに向けて前記ビームを照射させる測定用ビーム照射手段と、 前記第1の基準位置および第2の基準位置へ向けたビーム照射に従って、それぞれ副走査方向に沿った第1のビーム照射位置および主走査方向に沿った第2のビーム照射位置を測定する測定手段と、 前記第1および第2のビーム照射位置が、それぞれ前記第1および第2の基準位置と実質的に一致するか否かを判断する位置ずれ判別手段と、 前記第1および第2のビーム照射位置のうち少なくとも1つが対応する基準位置とずれている場合、前記対応する基準位置と一致するように、ずれたビーム照射位置を調整するビーム照射位置調整手段と を備えたことを特徴とするパターン描画装置。
IPC (3件):
G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01L21/027
FI (4件):
G03F7/20 501 ,  G03F9/00 Z ,  H01L21/30 519 ,  H01L21/30 529
Fターム (12件):
2H097AA03 ,  2H097BA10 ,  2H097BB10 ,  2H097CA16 ,  2H097CA17 ,  2H097EA01 ,  2H097KA01 ,  2H097LA09 ,  2H097LA10 ,  5F046BA07 ,  5F046CC03 ,  5F046CC13
引用特許:
審査官引用 (5件)
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