特許

J-GLOBAL ID：200903003857709831

光半導体装置及び赤外線検出装置

発明者： 梶原 信之 ,  西野 弘師 ,  松倉 祐輔 ,  内山 靖仁 ,  山下 裕泰
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 土井 健二 ,  林 恒徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-072021
公開番号（公開出願番号）：特開2009-231364
出願日： 2008年03月19日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：

【課題】製造が容易で且つ再現性の高い構造を備えた量子ドット赤外線光検出器を提供することである。【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された、導電性の半導体からなる第1の電極層と、前記第1の電極層の上に形成された前記第1の光電変換層と、前記第1の光電変換層の上に形成された、導電性の半導体からなる第2の電極層と、前記第2の電極層の上に形成された、第2の光電変換層と、前記第2の光電変換層の上に形成された、導電性の半導体からなる第3の電極層からなる赤外線を電気信号に変換する光半導体装置において、前記第1の光電変換層が、前記半導体基板の主面に投影した形状が、第1の方向に長軸を有する第1の量子ドットから成り、前記第2の光電変換層が、前記主面に投影した形状が、前記第1の方向にに交差する第の2の方向に長軸を有する第2の量子ドットから成ること。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板の上に形成された、導電性の半導体からなる第1の電極層と、 前記第1の電極層の上に形成された前記第1の光電変換層と、 前記第1の光電変換層の上に形成された、導電性の半導体からなる第2の電極層と、 前記第2の電極層の上に形成された、第2の光電変換層と、 前記第2の光電変換層の上に形成された、導電性の半導体からなる第3の電極層からなる、 赤外線を電気信号に変換する光半導体装置において、 前記第1の光電変換層が、前記半導体基板の主面に投影した形状が、第1の方向に長軸を有する第1の量子ドットから成り、 前記第2の光電変換層が、前記主面に投影した形状が、前記第1の方向に交差する第2の方向に長軸を有する第2の量子ドットから成ることを 特徴とする光半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  G01J 3/36 ,  G01J 1/02

FI (5件)：

H01L31/10 D ,  G01J3/36 ,  G01J1/02 B ,  G01J1/02 Q ,  G01J1/02 C

Fターム (32件)：

2G020AA03 ,  2G020CC63 ,  2G020CD15 ,  2G020CD24 ,  2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065AB10 ,  2G065BA02 ,  2G065BA14 ,  2G065BA34 ,  2G065BB25 ,  2G065BB32 ,  2G065BC33 ,  2G065CA11 ,  2G065DA01 ,  2G065DA20 ,  5F049MA03 ,  5F049MB07 ,  5F049NA18 ,  5F049NA19 ,  5F049NB03 ,  5F049PA03 ,  5F049QA07 ,  5F049RA02 ,  5F049SE01 ,  5F049SS03 ,  5F049SS09 ,  5F049SS10 ,  5F049TA11 ,  5F049UA01 ,  5F049UA12 ,  5F049WA01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 発光ダイオードアレイ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-128816   出願人：日立電線株式会社
• 赤外線センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-051221   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (3件)

• 光検出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-217504   出願人：富士通株式会社
• 疑似位相整合型波長変換素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-351050   出願人：国立大学法人東京大学
• 半導体量子ドット装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-007234   出願人：富士通株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• MBE,MOVPE成長法によるInAs/GaAs量子ドットの形状異方性と偏光特性