特許

J-GLOBAL ID：200903003912745222

レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の作製方法

発明者： 下村 明久 ,  小路 博信
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-188123
公開番号（公開出願番号）：特開2005-039250
出願日： 2004年06月25日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：

【課題】 半導体膜の結晶化に高調波を有するレーザー結晶化を用いると、基本波に対する高調波のエネルギー変換効率が低く問題である。そして高調波に変換されたレーザー光は、基本波の場合に比べてエネルギーが低いため、ビームスポットの面積を広げてスループットを高めることが難しい。【解決手段】 本発明は、レーザーの基本波と、基本波以下の波長、代表的には該基本波が変換された高調波とを、同時に照射するレーザー照射装置であって、一つの共振器から射出される基本波と、基本波以下の波長とを有するレーザー光を分離させずに照射することを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基本波と、前記基本波以下の波長とを出力するレーザ共振器と、 被照射物と前記レーザ共振器からのレーザ光とを相対的に移動させる手段と、 前記レーザ光を線状レーザに加工する手段と、 を有するレーザ照射装置であって、 前記線状レーザに加工する手段は、前記基本波及び前記基本波以下の波長を有するレーザ光を集光する手段を有することを特徴するレーザ照射装置。

IPC (7件)：

H01L21/268 ,  B23K26/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01S3/00 ,  H01S3/108

FI (8件)：

H01L21/268 J ,  H01L21/268 T ,  B23K26/06 A ,  B23K26/06 E ,  H01L21/20 ,  H01S3/00 B ,  H01S3/108 ,  H01L29/78 627G

Fターム (54件)：

4E068AH00 ,  4E068CA01 ,  4E068CA03 ,  4E068CA08 ,  4E068CD02 ,  4E068CD05 ,  4E068CD08 ,  4E068CD11 ,  4E068CD13 ,  4E068DA09 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052BA07 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052EA12 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052JA04 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP34 ,  5F172AE03 ,  5F172AE09 ,  5F172AF02 ,  5F172NQ62 ,  5F172ZZ01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• レーザ照射装置およびレーザ照射方法および半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-338846   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (4件)

• レーザアニール装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-178918   出願人：三菱電機株式会社
• レーザ加工装置およびレーザによる加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-266667   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法およびその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-156653   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭56-029323
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Dual-wavelength laser annealing