半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-221323
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058483
出願日： 1998年08月05日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】Siの水素化合物ガスを用いて形成したSi窒化膜を自己整合コンタクトのストッパ膜として適用すると、Si窒化膜に含まれる大量の水素の影響により、ボロンドープ多結晶Si電極を用いたMOSトランジスタの信頼性が劣化する問題があった。【解決手段】CVD法によりSi窒化膜を形成する際、原料ガスにSiのハロゲン化合物と窒素の組み合わせを用い、Si窒化膜中の水素含有量を減らす。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、上記第1の絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、上記導電膜上に水素濃度が1×1021atoms/cc 以下の第2の絶縁膜を形成する工程と、上記第2の絶縁膜と導電膜を所定の形状に加工して導電膜からなる配線を形成する工程を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/283 , H01L 21/28 , H01L 21/318

FI (3件)：

H01L 21/283 N , H01L 21/28 F , H01L 21/318 B

Fターム (19件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB18 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104EE05 , 4M104EE09 , 4M104EE17 , 4M104HH20 , 5F058BA20 , 5F058BC08 , 5F058BD10 , 5F058BF07 , 5F058BF24 , 5F058BH12 , 5F058BJ07

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-171220 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-236783 出願人：株式会社東芝
特開昭61-145834

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