特許
J-GLOBAL ID：200903013132476209

半導体装置及びその製造方法並びに実装構造体

発明者：
遠藤 浩二

遠藤 浩二 について


出願人/特許権者：
カシオマイクロニクス株式会社

カシオマイクロニクス株式会社 について


代理人 (2件)： 荒船 博司 ,  荒船 良男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-059038
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245293
出願日： 2005年03月03日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】機械的な衝撃から半導体チップを保護する。【解決手段】本発明に係る半導体装置100は、電子回路が集積される能動面2d及びそれに対向する受動面2eを有する略直方体状の半導体チップ2と、能動面2dを覆うように半導体チップ2下に配された絶縁部3とを備え、能動面2dの4つの角部2fが曲線状を呈し、かつ、受動面2d上の4つの角部2aとそれら角部2aから延在する稜線部2bとが曲面状を呈している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電子回路が集積される能動面及びそれに対向する受動面を有する略直方体状の半導体チップと、前記能動面を覆うように前記半導体チップ下に配された絶縁部とを備える半導体装置であって、 前記能動面の4つの角部が曲線状を呈し、かつ、前記受動面上の4つの角部とそれら角部から延在する稜線部とが曲面状を呈していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/12 ,  H01L 21/56
FI (2件)：
H01L23/12 501P ,  H01L21/56 R
Fターム (4件)：
5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA10 ,  5F061CB13
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体センサの切断方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-205760   出願人：日本精機株式会社
  • 特許第270158号公報
審査官引用 (7件)
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