炭化珪素半導体の製造方法および炭化珪素半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：永井冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-317881
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124669
出願日： 2000年10月18日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】ドレイン領域およびソース領域に対して自己整合的にゲート電極層を形成してSiC半導体装置を製造する。【解決手段】P+型SiC基板10上にP-型エピタキシャル層20が積層される。P-型エピタキシャル層20の所定の領域にN+型ドレイン領域30とN+型ソース領域40とが形成され、各領域の表面に酸化膜145と140がそれぞれ形成される。ドレイン領域30とソース領域40とに挟まれるチャネル領域に酸化膜145および140をマスクにして凹型の溝185が設けられる。溝185内にゲート絶縁膜50を介してゲート電極層60が設けられる。N+型ドレイン領域30、N+型ソース領域40、およびゲート電極層60にドレイン電極90、ソース電極70、およびゲート電極(メタル)80がそれぞれ設けられる。各電極を絶縁するほう素燐シリカガラス110と、基板を保護するほう素燐シリカガラス200とが形成され、P+型SiC基板10の裏面には基板コンタクト電極100が設けられる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の炭化珪素半導体基板の表面の所定の領域に第2導電型の不純物領域を形成する工程と、前記形成された不純物領域の表面を選択的に熱酸化する工程と、前記熱酸化により形成された酸化膜をマスクとして前記第2導電型の不純物領域の一部を露出させる溝を前記基板に形成する工程と、前記形成された溝の内側に層間膜を成膜する工程と、前記成膜された層間膜の表面に電極層を形成する工程と、前記電極層および前記不純物領域に接する導体膜を配設する工程とを有することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 29/78 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 653 , H01L 21/265 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 29/43 , H01L 21/336

FI (12件)：

H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 653 A , H01L 21/28 301 A , H01L 21/28 301 F , H01L 29/78 301 B , H01L 21/265 F , H01L 21/265 Z , H01L 29/62 G , H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 301 W , H01L 29/78 301 V , H01L 29/78 658 A

Fターム (20件)：

4M104AA03 , 4M104BB01 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD65 , 4M104FF02 , 4M104FF03 , 4M104FF04 , 4M104FF27 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 4M104HH20 , 5F040DC02 , 5F040EB01 , 5F040EC07 , 5F040EC20 , 5F040EE03 , 5F040EL02 , 5F040FC11 , 5F040FC14

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-214913 出願人：住友金属工業株式会社
特開平4-229653
炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-068896 出願人：株式会社デンソー

全件表示

前のページに戻る